Обработка заказов пн-пт 10-20, сб 10-18 Пункт выдачи заказов м. Новослободская ВКонтакте Социальная сеть Одноклассники Видеохостинг RUTUBE

Быстрый заказ

Samsung 1 ТБ (MZ-V8P1T0CW) - купить по выгодной цене в интернет магазине ID: HT00107760

Быстрый заказ

Ваш запрос принят!

Узнать о поступлении

Samsung 1 ТБ (MZ-V8P1T0CW) - купить по выгодной цене в интернет магазине ID: HT00107760

Узнать о поступлении

Ваш запрос принят!

Каталог товаров
Samsung 1 ТБ (MZ-V8P1T0CW) (ID: HT00107760) Samsung 1 ТБ(ID: HT00107760)
узнать о поступлении
₽ 21 520

Samsung 1 ТБ (MZ-V8P1T0CW) (ID: HT00107760)

ID: HT00107760 Коротко о товаре
Тип флэш-памяти: TLC 3D NAND
Объем: 1000 Гб
Скорость записи: 5000 МБ/с
Скорость чтения: 7000 МБ/с
Интерфейсы: PCI-E 4.0 x4
Полные характеристики >
₽ 23 672-10% ₽ 21 520 нет в наличии
Безналичный расчет для юр.лиц: ₽ 24 102
узнать о поступлении
Доставка товара
Самовывозбесплатно
Доставка в пределах МКАДот ₽ 300
Доставка за МКАДот ₽ 600
Экспресс доставкаот ₽ 800
Тип флэш-памяти TLC 3D NAND
Объем 1000 Гб
Скорость записи 5000 МБ/с
Скорость чтения 7000 МБ/с
Интерфейсы PCI-E 4.0 x4

Форм-фактор 2280 Емкость 1 ТБ Скорость чтения/записи 7000 МБ/с / 5000 МБ/с Интерфейсы PCI-E Тип PCI-E PCI-E 4.0 x4 Тип флэш-памяти TLC 3D NAND Потребляемая мощность 6.2 Вт Рекомендован для ноутбука и настольного компьютера, игровой ШхДхВ 22.15х80.15х2.38 мм, вес: 50 г

Похожие товары

  • Samsung 9100 PRO 4TB M.2 2280 (MZ-VAP4T0BW)
    (ID:HT00190631) Samsung 9100 PRO 4TB M.2 2280 (MZ-VAP4T0BW)

    Форм-фактор M.2 2280 Объем накопителя 4096 Интерфейс PCIe 5.0 x4 Разъем M.2 Максимальная скорость чтения 14800 Максимальная скорость записи 13400 Время наработки на отказ 1500000 Тип памяти NAND TLC Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 2200000 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 2400 Потребляемая мощность 9 Мощность в режиме ожидания 0.0065 Толщина товара 2.38

    ₽ 23 672-10% ₽ 46 090 на складе
  • Samsung 9100 PRO M.2 2280 4TB (MZ-VAP4T0CW)
    (ID:HT00190375) Samsung 9100 PRO M.2 2280 4TB (MZ-VAP4T0CW)

    Форм-фактор M.2 2280 Объем накопителя 4096 Интерфейс PCIe 5.0 x4 Разъем M.2 Максимальная скорость чтения 14800 Максимальная скорость записи 13400 Время наработки на отказ 1500000 Тип памяти NAND TLC Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 2200000 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 2400 Потребляемая мощность 9 Мощность в режиме ожидания 0.0065 Толщина товара 8.88

    ₽ 23 672-10% ₽ 46 090 на складе
  • Samsung 9100 PRO M.2 2280 2TB (MZ-VAP2T0BW)
    (ID:HT00190359) Samsung 9100 PRO M.2 2280 2TB (MZ-VAP2T0BW)

    Форм-фактор M.2 2280 Объем накопителя 2048 Интерфейс PCIe 5.0 x4 Разъем M.2 Максимальная скорость чтения 14700 Максимальная скорость записи 13400 Время наработки на отказ 1500000 Тип памяти NAND TLC Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1850000 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 1200 Потребляемая мощность 8.1 Мощность в режиме ожидания 0.0048 Толщина товара 2.38

    ₽ 23 672-10% ₽ 29 040 на складе
  • Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
    (ID:HT00186115) Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)

    Назначение: внутренний Тип: SSD Форм-фактор: M.2 Объём накопителя: 4096 Гб Интерфейс: PCI-E 4.0 x4, PCI-E 5.0 x2 Поддержка NVMe: да Скорость чтения: 7250 МБ/сек Скорость записи: 6300 МБ/сек Тип флэш-памяти: TLC Размер M.2: 2280

    ₽ 23 672-10% ₽ 38 260 на складе
  • Samsung PM983 3.84Tb (MZ1LB3T8HMLA-00007)
    (ID:HT00185013) Samsung PM983 3.84Tb (MZ1LB3T8HMLA-00007)

    Назначение: внутренний Тип: SSD Форм-фактор: M.2 Объём накопителя: 3840 Гб Интерфейс: PCI-E 3.0 x4 Поддержка NVMe: да Скорость чтения: 3000 МБ/сек Скорость записи: 1400 МБ/сек Тип флэш-памяти: TLC

    ₽ 23 672-10% ₽ 57 700 на складе

Акции и скидки

Copyright MAXXmarketing Webdesigner GmbH
HOT-20 © 2024 - 2025 +7 (495) 106-26-52 ВКонтакте Социальная сеть Одноклассники Видеохостинг RUTUBE
Наш сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie. Да, я согласен!