1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Объем: 4 ГБ Частота: 1600 МГц Латентность: CL11 Тайминги: 11-11-11-28 Форм-фактор: SO-DIMM, 240-pin Тип поставки: Ret
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Серия продукции Radeon R3 Value Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 2, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 2, ГБ Эффективная частота 1333, МГц Пропускная способность 10600, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 240
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 288-pin UDIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 204-pin SO DIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.2 В
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
Объем: 4096 МБ; Частота: 1600МГц; Латентность: CL11; Тайминги: 11-11-11-28; Форм-фактор: DIMM, 240-pin; Тип поставки: Ret
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
