1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Объем памяти 4 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 288-pin UDIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Обьем памяти: 2GB Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM Эффективная частота МГц: 1600 Пропускная способность Мб/с: 12800 Тайминги CL - tRCD - tRP: 11-11-11 Напряжение питания: 1.35V
4 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11, 1.35 ВОбъём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
