1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Серия продукции Radeon R3 Value Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 2, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 2, ГБ Эффективная частота 1333, МГц Пропускная способность 10600, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 240
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 288-pin UDIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да
Обьем памяти: 2GB Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM Эффективная частота МГц: 1600 Пропускная способность Мб/с: 12800 Тайминги CL - tRCD - tRP: 11-11-11 Напряжение питания: 1.35V
Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В
Объем памяти 4 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300
Серия продукции Radeon R5 Entertainment Тип памяти Unbuffered Форм-фактор SODIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 4, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 4, ГБ Эффективная частота 1600, МГц Пропускная способность 12800, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 204
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В
