Обработка заказов пн-пт 10-20, сб 10-18 Пункт выдачи заказов м. Новослободская ВКонтакте Социальная сеть Одноклассники Видеохостинг RUTUBE

Быстрый заказ

Samsung 4000Gb (MZ-77E4T0BW) - купить по выгодной цене в интернет магазине ID: HT0075473

Быстрый заказ

Ваш запрос принят!

Узнать о поступлении

Samsung 4000Gb (MZ-77E4T0BW) - купить по выгодной цене в интернет магазине ID: HT0075473

Узнать о поступлении

Ваш запрос принят!

Каталог товаров
Samsung 4000Gb (MZ-77E4T0BW) (ID: HT0075473) Samsung 4000Gb (MZ-77E4T0BW)(ID: HT0075473)
₽ 49 660

Samsung 4000Gb (MZ-77E4T0BW) (ID: HT0075473)

ID: HT0075473 Коротко о товаре
Форм-фактор: 2,5"
Скорость записи: 530 МБ/с
Скорость чтения: 560 МБ/с
Интерфейсы: SATA 6Gb/s
Полные характеристики >
₽ 54 626-10% ₽ 49 660
Безналичный расчет для юр.лиц: ₽ 55 619
быстрый заказ товара
Доставка товара
Самовывозбесплатно
Доставка в пределах МКАДот ₽ 300
Доставка за МКАДот ₽ 600
Экспресс доставкаот ₽ 800
Форм-фактор 2,5"
Скорость записи 530 МБ/с
Скорость чтения 560 МБ/с
Интерфейсы SATA 6Gb/s

внутренний SSD форм-фактор: 2.5" емкость: 4000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключения: SATA 6Gb/s объем буфера: 4096 МБ потребляемая мощность: 2.5 Вт время наработки на отказ: 1500000 ч рекомендован: для ноутбука и настольного компьютера ШхДхВ: 69.85х100х6.80 мм, вес: 45 г

Похожие товары

  • Samsung 9100 PRO 4TB M.2 2280 (MZ-VAP4T0BW)
    (ID:HT00190631) Samsung 9100 PRO 4TB M.2 2280 (MZ-VAP4T0BW)

    Форм-фактор M.2 2280 Объем накопителя 4096 Интерфейс PCIe 5.0 x4 Разъем M.2 Максимальная скорость чтения 14800 Максимальная скорость записи 13400 Время наработки на отказ 1500000 Тип памяти NAND TLC Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 2200000 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 2400 Потребляемая мощность 9 Мощность в режиме ожидания 0.0065 Толщина товара 2.38

    ₽ 54 626-10% ₽ 45 930 на складе
  • Samsung 9100 PRO M.2 2280 4TB (MZ-VAP4T0CW)
    (ID:HT00190375) Samsung 9100 PRO M.2 2280 4TB (MZ-VAP4T0CW)

    Форм-фактор M.2 2280 Объем накопителя 4096 Интерфейс PCIe 5.0 x4 Разъем M.2 Максимальная скорость чтения 14800 Максимальная скорость записи 13400 Время наработки на отказ 1500000 Тип памяти NAND TLC Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 2200000 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 2400 Потребляемая мощность 9 Мощность в режиме ожидания 0.0065 Толщина товара 8.88

    ₽ 54 626-10% ₽ 45 930 на складе
  • Samsung 9100 PRO M.2 2280 2TB (MZ-VAP2T0BW)
    (ID:HT00190359) Samsung 9100 PRO M.2 2280 2TB (MZ-VAP2T0BW)

    Форм-фактор M.2 2280 Объем накопителя 2048 Интерфейс PCIe 5.0 x4 Разъем M.2 Максимальная скорость чтения 14700 Максимальная скорость записи 13400 Время наработки на отказ 1500000 Тип памяти NAND TLC Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 1850000 Поддержка NVMe ДА Ресурс TBW 1200 Потребляемая мощность 8.1 Мощность в режиме ожидания 0.0048 Толщина товара 2.38

    ₽ 54 626-10% ₽ 32 150 на складе
  • Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
    (ID:HT00186115) Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)

    Назначение: внутренний Тип: SSD Форм-фактор: M.2 Объём накопителя: 4096 Гб Интерфейс: PCI-E 4.0 x4, PCI-E 5.0 x2 Поддержка NVMe: да Скорость чтения: 7250 МБ/сек Скорость записи: 6300 МБ/сек Тип флэш-памяти: TLC Размер M.2: 2280

    ₽ 54 626-10% ₽ 38 120 на складе
  • Samsung 990 EVO Plus 2Tb (MZ-V9S2T0BW)
    (ID:HT00184871) Samsung 990 EVO Plus 2Tb (MZ-V9S2T0BW)

    Назначение: внутренний Тип: SSD Форм-фактор: M.2 Объём накопителя: 2048 Гб Интерфейс: PCI-E 4.0 x4, PCI-E 5.0 x2 Поддержка NVMe: да Скорость чтения: 7250 МБ/сек Скорость записи: 6300 МБ/сек Тип флэш-памяти: TLC Размер M.2: 2280

    ₽ 54 626-10% ₽ 23 430 на складе

Акции и скидки

Copyright MAXXmarketing Webdesigner GmbH
HOT-20 © 2024 - 2025 +7 (495) 106-26-52 ВКонтакте Социальная сеть Одноклассники Видеохостинг RUTUBE
Наш сайт использует файлы cookie, обрабатываемые вашим браузером. Подробнее об этом вы можете узнать в Политике cookie. Да, я согласен!