Samsung DDR4 8GB UNB SODIMM 3200 1Rx16, 1.2V (M471A1G44CB0-CWE) (ID: HT00157178)

Тип оперативной памяти DDR5 Объём, Гб 128 Частота функционирования, МГц 6400 Форм-фактор оперативной памяти DIMM (UDIMM) Количество контактов 288 Напряжение, В 1,1000

8 ГБ SO-DIMM DDR5 5600MHz

Тип оперативной памяти DDR5 Объём, Гб 32 Частота функционирования, МГц 5600 Пропускная способность, Мб/сек. 44800 Форм-фактор оперативной памяти RDIMM Количество контактов 288 Напряжение, В 1,1000

Объём памяти: 96 Гб Объём памяти: 128 Гб Тип памяти: DDR5 DIMM Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да

Объем: 65536 МБ Частота: 3200МГц Тип: DIMM, ECC, registered, dual rank Латентность: CL22

Socket: AM5 Количество ядер: 8 Тактовая частота: 4200 МГц Частота процессора в режиме Turbo: 5000 МГц Ядро: Raphael Объём...

ноутбук экран: 16" (1920x1200) матрица: IPS процессор: Intel Core 7 240H (10x2500 МГц) оперативная память: 32 ГБ DDR5 накопитель:...

ноутбук экран: 16" (2560x1600) процессор: Intel Core i7 13650HX (14x2600 МГц) оперативная память: 16 ГБ DDR5 накопитель: SSD 1024 ГБ...

ноутбук экран: 15.6" (1920x1080) IPS процессор: AMD Ryzen 7 7735U (8x2700 МГц) оперативная память: 16 ГБ DDR4 накопитель: SSD 1024 ГБ...

ноутбук экран: 15.6" (1920x1080) TN процессор: AMD Ryzen 5 7520U (4x2800 МГц) оперативная память: 16 ГБ LPDDR5 накопитель: SSD 512 ГБ...