Оперативная память

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 42 Напряжение питания: 1.1 В

16 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP): 39 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21330 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 16 Row Precharge Delay (tRP): 16 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SO-DIMM тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 21300 Мб/с