Оперативная память

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль памяти DDR3 объем памяти: 8 ГБ тип: SO-DIMM тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 12800 Мб/с

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-24 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Напряжение питания: 1.5 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 32, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 32, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество в упаковке 1 Объем 8192 Тип поставки Ret Буферизация unbuffered Модель DGMAD43200008D Показатель скорости PC4-25600 Латентность CL22 Количество контактов 288-pin Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Количество рангов (Ranks) dual rank Частотная спецификация 3200

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да