Оперативная память

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 64000 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 48 Row Precharge Delay (tRP): 48 Напряжение питания: 1.45 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

1 модуль объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 18-18-18-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300 особенности: радиатор, XMP, игровая

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21330 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 16 Row Precharge Delay (tRP): 16 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP): 39 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 15-15-15-35 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC19200 особенности: радиатор, XMP, игровая

2 модуля объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ) тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц CAS Latency (CL) 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

Объем: 1х 16ГБ; Частота: 3200МГц; Латентность: CL22; Задержки: 22-22-22-52; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Тип поставки: Ret

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)