Оперативная память

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP): 39 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

2 модуля памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1866 МГц радиатор CAS Latency (CL): 10

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SO-DIMM частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.25 В

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC25600 C16

Серия продукции Lancer Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR5 Объем одного модуля, ГБ 16 Количество модулей в комплекте, шт 2 Суммарный объем, ГБ 32 Эффективная частота, МГц 6000 Пропускная способность, Мб/с 48000 Поддержка ECC On-Die ECC Низкопрофильная Нет Количество контактов 288

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 2400 МГц радиатор CAS Latency (CL): 15

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR4 объем памяти: 4 ГБ тип: DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300