DDR3 DIMM

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-24 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

2 модуля объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 9-9-9-24 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 особенности: радиатор, XMP, игровая

1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор SODIMM, 204-контактный, частота 1600 МГц, CAS Latency (CL): 11

2 модуля памяти DDR3 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 1866 МГц радиатор CAS Latency (CL): 10

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3L DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR3L DIMM 240-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM тактовая частота: 1600 МГц CAS Latency (CL): 11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-24 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

Объём памяти: 8 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

Тип Модуль памяти Модель AQD-D3L2GN16-SQ1 Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля, ГБ 2 Количество модулей в комплекте, шт 1 Суммарный объем, ГБ 2 Эффективная частота, МГц 1600 Пропускная способность, Мб/с 12800 Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Игровая (для геймеров) Нет Количество чипов на модуле, шт 8 Количество ранков 1 Количество контактов 240

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 10 RAS to CAS Delay (tRCD): 10 Row Precharge Delay (tRP): 10 Activate to Precharge Delay (tRAS): 27 Напряжение питания: 1.5 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В

Серия продукции Radeon R5 Entertainment Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3L Объем одного модуля 8, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 8, ГБ Эффективная частота 1600, МГц Пропускная способность 12800, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 16, шт Количество контактов 240

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В