DDR4 SO-DIMM

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 2400 МГц радиатор CAS Latency (CL): 15

1 модуль объем памяти: 32 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 18-18-18-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300 особенности: радиатор, XMP, игровая

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2400 МГц тайминги: 15-15-15-35 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC19200 особенности: радиатор, XMP, игровая

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300 особенности: XMP

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 2666 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объем памяти 32 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 18-24-24-44 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC25600 Особенности радиатор, XMP, игровая

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 24 Row Precharge Delay (tRP): 24 Activate to Precharge Delay (tRAS): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 17000 Мб/с CAS Latency (CL): 15 RAS to CAS Delay (tRCD): 15 Row Precharge Delay (tRP): 15 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 17 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 24 Row Precharge Delay (tRP): 24 Activate to Precharge Delay (tRAS): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 42 RAS to CAS Delay (tRCD): 42 Row Precharge Delay (tRP): 42 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 39 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 17 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 17 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600