DDR4 DIMM

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Форм-фактор DIMM CL 22

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Напряжение питания: 1.5 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

16 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL16, 1.35 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC25600 C16

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

1 модуль памяти DDR4 объем памяти: 4 ГБ тип: DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

2 модуля объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц CAS Latency (CL) 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность PC21300 C19

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

2 модуля объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ) тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц CAS Latency (CL) 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да