DDR5 SO-DIMM

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.25 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

8 ГБ SO-DIMM DDR5 5600MHz

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.1 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип оперативной памяти DDR5 Частота функционирования, МГц 4800 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Объём, Мб 32768 Количество контактов 262 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Напряжение, В 1.1 Дополнительная информация Латентность (CL) 40 Количество модулей в комплекте 1 Совместимость Для ноутбуков

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объем памяти 32 ГБ по 32 ГБ) Тип DDR5 SODIMM Тактовая частота 4800 МГц Тайминги 40-40-40-70 Напряжение питания 1.1 В Пропускная способность PC38400 Особенности игровая

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Количество контактов 262 Напряжение, В 1.1 Объём, Гб 16 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Тип оперативной памяти DDR5 Частота функционирования, МГц 4800 Дополнительная информация Латентность (CL) 40

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.25 В

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.1 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR5 DIMM 262-pin Тактовая частота 4800 МГц Тайминги 40

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В