DDR3 SO-DIMM

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1333 МГц тайминги: 9-9-9-24 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC10600

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SO-DIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

1 модуль памяти DDR3 объем памяти: 8 ГБ тип: SO-DIMM тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 12800 Мб/с

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 SO-DIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-27 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR3L SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC12800 Особенности Unregistered

Серия продукции Radeon R5 Entertainment Тип памяти Unbuffered Форм-фактор SODIMM Стандарт памяти DDR3L Объем одного модуля 4, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 4, ГБ Эффективная частота 1600, МГц Пропускная способность 12800, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 204

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В

1 модуль памяти DDR3L объем модуля 8 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11