DDR5 SO-DIMM

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.1 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR5 SODIMM 262-pin Тактовая частота 4800 МГц Тайминги 40 Напряжение питания 1.1 В Пропускная способность PC38400 Особенности ECC

Объём памяти: 16 ГБ Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 МБ/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Тип DDR5 Тактовая частота 4800 МГц Форм-фактор SODIMM

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.25 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Тип оперативной памяти DDR5 Объём, Гб 8 Частота функционирования, МГц 4800 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Количество контактов 262

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 52 RAS to CAS Delay (tRCD): 52 Row Precharge Delay (tRP): 52 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 70 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.1 В

Тип оперативной памяти DDR5 Частота функционирования, МГц 4800 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Объём, Мб 8192 Количество контактов 262 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Напряжение, В 1.1

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 52 RAS to CAS Delay (tRCD): 52 Row Precharge Delay (tRP): 52 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Тип оперативной памяти DDR5 Объём, Гб 16 Частота функционирования, МГц 4800 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Количество контактов 262

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.1 В