Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 SO-DIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-27 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800

Серия продукции Performance Тип памяти Unbuffered Форм-фактор SODIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 16, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 16, ГБ Эффективная частота 2400, МГц Пропускная способность 19200, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 16, шт Количество контактов 260

Объем: 1х 8ГБ; Частота: 2666МГц; Латентность: CL19; Задержки: 19-19-19-43; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Тип поставки: Ret

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

1 модуль объем памяти: 32 ГБ тип: DDR-4 SO-DIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги 20 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 17000 Мб/с CAS Latency (CL): 15 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В