Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 64000 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 49 Row Precharge Delay (tRP): 49 Activate to Precharge Delay (tRAS): 85 Напряжение питания: 1.45 В Поддержка XMP: да

Тип DDR4 Объем одного модуля 32 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Форм-фактор DIMM CL 22

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22-52 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 48 RAS to CAS Delay (tRCD): 48 Row Precharge Delay (tRP): 48 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 60800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 48 Row Precharge Delay (tRP): 48 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.45 В Поддержка XMP: да

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22