Оперативная память

Объём памяти: 96 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 17 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.25 В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Общий объем 16 Гбайт Объем одного модуля 16 Гбайт Количество модулей в комплекте 1 шт. Быстродействие Частота 3200 МГц Пропускная способность PC4-25600 Тайминги CAS Latency (CL) 22 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate to Precharge Delay (tRAS) 46

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.25 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 64 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да

Объём памяти: 64 Гб Тип памяти: DDR5 DIMM Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да

Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 32 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600 Особенности Registered

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В