Оперативная память

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 24 Row Precharge Delay (tRP): 24 Activate to Precharge Delay (tRAS): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объем: 32 ГБ; Частота: 6000 МГц; Латентность: CL30; Тайминги: 30-36-36; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Особенности: оснащается радиатором; Тип поставки: Ret

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 52 RAS to CAS Delay (tRCD): 52 Row Precharge Delay (tRP): 52 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 44 Row Precharge Delay (tRP): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.2 В