Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 ГБ Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 МБ/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 МБ/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В

Объем: 16 ГБ; Частота: 3200 МГц; Латентность: CL22; Тайминги: 22-22-22-52; Форм-фактор: DIMM, 260-pin; Особенности: оснащается радиатором; Тип поставки: Ret

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Серия продукции Radeon R7 Performance Тип памяти Unbuffered Форм-фактор SODIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 8, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 8, ГБ Эффективная частота 2133, МГц Пропускная способность 17000, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 260