DDR4 SO-DIMM

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

16 Гб, DDR4, 25600 Мб/с, CL22, 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

оперативная память 16 Гб DDR4 SO-DIMM 2666 МГц, коррекция ошибок ECC, 1.2v, для сетевых накопителей (NAS) Synology RS820RP+, RS820+, DVA3219

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 32, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 32, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

1 модуль объем памяти: 32 ГБ тип: DDR-4 SO-DIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги 20 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 25600 Мб/с

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC25600

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM тактовая частота: 2666 МГц пропускная способность 21300 Мб/с тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SO-DIMM тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 21300 Мб/с

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объем памяти 16 ГБ Тип DDR4 SODIMM 260-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 20 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

2 модуля объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 20-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 SODIMM 260-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19-19-19-43 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SO-DIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Форм-фактор DIMM CL 22

оперативная память 4 Гб DDR4 SO-DIMM 2666 МГц,, 1.2v, для сетевых накопителей (NAS) Synology RS820RP+, RS820+, DVA3219

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SO-DIMM частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22