DDR4 SO-DIMM

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21330 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 16 Row Precharge Delay (tRP): 16 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор SO-DIMM частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 20-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 25600 Мб/с

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор SO-DIMM частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Количество в упаковке 1 Объем 8192 Тип поставки Ret Буферизация unbuffered Модель DGMAS42666008D Показатель скорости PC4-21300 Латентность CL19 Количество контактов 260-pin Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Количество рангов (Ranks) dual rank Частотная спецификация 2666 Задержка (тест) 19-19-19-43 Особенности (выводится в карточку) dual rank 2R*8

Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Общий объем 8 Гбайт Объем одного модуля 8 Гбайт Количество модулей в комплекте 1 шт.

модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Unbuffered SO-DIMM, для DS3622xs+, DS2422+

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21330 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 16 Row Precharge Delay (tRP): 16 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 SO-DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): нет

Объем: 32768 МБ; Частота: 2666МГц; Латентность: CL19; Тайминги: 19-19-19-43; Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin; Тип поставки: Ret;

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 SO-DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): нет

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 SO-DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объем: 16 ГБ Частота: 3200 МГц Латентность: CL22 Тайминги: 22-22-22-52 Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin Тип поставки: Ret

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В