Оперативная память

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 128 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Производитель Kingston Тип DDR4 Объем одного модуля 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Форм-фактор DIMM CL 22

Объем: 16384 МБ; Частота: 5600МГц; Латентность: CL46; Тайминги: 46-46-46-90; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Тип поставки: Ret

8GB DDR5 5600 DIMM Non-ECC , CL46 , 1.1V, 1RX16 288-pin 16Gbit, RTL

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 44 Row Precharge Delay (tRP): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да