Оперативная память

1 модуль объем памяти 16 ГБ тип DDR5 DIMM 288-pin тактовая частота 4800 МГц тайминги 40-40-40-77 напряжение питания 1.1 В пропускная способность PC38400 особенности ECC

Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR5 DIMM 262-pin Тактовая частота 4800 МГц Тайминги 40

Объём памяти: 48 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 76 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да

оперативная память 4 Гб DDR4 SO-DIMM 2666 МГц,, 1.2v, для сетевых накопителей (NAS) Synology RS820RP+, RS820+, DVA3219

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3600 МГц радиатор CAS Latency (CL): 20

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP): 39 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип оперативной памяти DDR5 Объём, Гб 32 Частота функционирования, МГц 5600 Пропускная способность, Мб/сек. 44800 Форм-фактор оперативной памяти DIMM Количество контактов 288 Напряжение, В 1,1

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль объем памяти 32 ГБ тип DDR4 DIMM тактовая частота 3200 МГц PC-25600

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 48 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 64000 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 49 Row Precharge Delay (tRP): 49 Activate to Precharge Delay (tRAS): 85 Напряжение питания: 1.45 В Поддержка XMP: да