Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600 особенности: ECC, буферизованная (Registered)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 42 RAS to CAS Delay (tRCD): 42 Row Precharge Delay (tRP): 42 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.1 В

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объем: 2х 16ГБ; Частота: 4800МГц; Латентность: CL40; Задержки: 40-40-40; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Особенности: комплект; Тип поставки: Ret