Оперативная память

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Тактовая частота 3200 МГц

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.25 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Activate to Precharge Delay (tRAS): 70

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В