Оперативная память

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 SODIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 20-22-22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

64GB 3200MHz DDR4 ECC Reg CL22 DIMM 2Rx4

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

4 модуля объем памяти: 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) тип: DDR4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16 18 18 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 34100 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 2666 МГц Форм-фактор DIMM CL 4

Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Общий объем 8 Гбайт Объем одного модуля 8 Гбайт Количество модулей в комплекте 1 шт.