Оперативная память

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.2 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип DDR5 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 5600 МГц Форм-фактор DIMM Особенности XMP

Тип оперативной памяти DDR5 Частота функционирования, МГц 4800 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Объём, Мб 8192 Количество контактов 262 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Напряжение, В 1.1

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 76 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 24 Row Precharge Delay (tRP): 24 Activate to Precharge Delay (tRAS): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да