Оперативная память

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 15 RAS to CAS Delay (tRCD): 15 Row Precharge Delay (tRP): 15 Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 48 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 28 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 100 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 46 Row Precharge Delay (tRP): 46 Activate to Precharge Delay (tRAS): 90 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 57600 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 44 Row Precharge Delay (tRP): 44 Напряжение питания: 1.45 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 42 RAS to CAS Delay (tRCD): 42 Row Precharge Delay (tRP): 42 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Тип оперативной памяти DDR4 Частота функционирования, МГц 3200 Пропускная способность, Мб/сек. 25600 Объём, Мб 65536 Форм-фактор оперативной памяти DIMM Напряжение, В 1.2

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)