Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 SO-DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 42 RAS to CAS Delay (tRCD): 42 Row Precharge Delay (tRP): 42 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.1 В

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Общий объем памяти 8 Гбайт Объем одного модуля 8 Гбайт Количество модулей в комплекте 1 шт. Быстродействие Частота 5600 МГц Пропускная способность PC5-44800

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 3600 МГц Форм-фактор DIMM Количество модулей в комплекте 1

Объем памяти 16 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300

Объем: 4х 16 ГБ; Частота: 5200 МГц; Латентность: CL40; Тайминги: 40-40-40; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Особенности: комплект; оснащается радиатором; Тип поставки: Ret

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 32000 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 23 Row Precharge Delay (tRP): 23 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 4 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 52 RAS to CAS Delay (tRCD): 52 Row Precharge Delay (tRP): 52 Напряжение питания: 1.1 В Архитектура CUDIMM: да