Оперативная память

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 32000 Мб/с CAS Latency (CL): 20 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Activate to Precharge Delay (tRAS): 46 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 10 RAS to CAS Delay (tRCD): 10 Row Precharge Delay (tRP): 10 Activate to Precharge Delay (tRAS): 27 Напряжение питания: 1.5 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип оперативной памяти DDR5 Объём, Гб 16 Частота функционирования, МГц 4800 Пропускная способность, Мб/сек. 38400 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Количество контактов 262

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 44 Row Precharge Delay (tRP): 44 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)