DDR4 DIMM

Объем памяти 32 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2666 МГц Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300 Особенности радиатор

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

2 модуля памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц поддержка ECC CAS Latency (CL): 22

2 модуля памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3600 МГц радиатор CAS Latency (CL): 20

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 39 Напряжение питания: 1.35 В

модуль оперативной памяти 8 Гб DDR4 ECC Unbuffered DIMM, для FS2500

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22-22-22-52 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Форм-фактор DIMM CL 4

Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 16 Гбайт Тип памяти DDR4 Общий объем 16 Гбайт Частота 3200 МГц Количество модулей в комплекте 1 шт. Номинальное напряжение 1,20 В

1 модуль объем памяти: 128 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц пропускная способность: PC25600

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 18-22-22-42 пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

Объём памяти: 48 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 17 Напряжение питания: 1.35 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 64 ГБ форм-фактор LRDIMM, 288-контактный частота 3200 МГц поддержка ECC

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

2 модуля памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3600 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

Объем: 65536 МБ Частота: 3200МГц Тип: DIMM, ECC, registered, dual rank Латентность: CL22

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC24000

Объем: 16 ГБ; Частота: 2400 МГц; Латентность: CL17; Тайминги: 17-17-17; Форм-фактор: DIMM, 288-pin