DDR4 DIMM

1 модуль объем памяти: 32 ГБ тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3200 МГц тайминги 16 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 25600 Мб/с

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Количество модулей в комплекте 2 шт. Объем одного модуля 16 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 16-20-20-32 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC25600 Особенности XMP, радиатор

1 модуль памяти DDR4 объем памяти: 16 ГБ тип: DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

2 модуля объем памяти: 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ) тип: DDR-4 DIMM тактовая частота: 3600 МГц CAS Latency (CL) 18 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 28800 Мб/с

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-20-20-40 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

4 модуля объем памяти: 32 ГБ (4 планки по 32 ГБ) тип: DDR4 DIMM тактовая частота: 3600 МГц тайминги: 17 21 21 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: 28800 Мб/с поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор SODIMM, 260-контактный частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 36800 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 8, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Эффективная частота 3600, МГц Пропускная способность 28800, Мб/с Низкопрофильная Нет

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 36800 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Напряжение питания: 1.5 В Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 МБ/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да