DDR4 DIMM

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Форм-фактор UDIMM Тип памяти DDR4 Общий объем 8 Гбайт Объем одного модуля 8 Гбайт Количество модулей в комплекте 1 шт. Быстродействие Частота 3200 МГц

Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC25600

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600 Особенности игровая

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 18-22-22-42 пропускная способность: PC25600 радиатор: да поддержка XMP: да

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

DIMM 8GB 3200 DDR4 ECC CL22 (1Gb*8)

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3600 МГц тайминги: 20-26-26-46 пропускная способность: PC28800 радиатор: да поддержка XMP: да

1 модуль модуль оперативной памяти 4 Гб DDR4 ECC Unbuffered DIMM, для RS2821RP+, RS2421RP+, RS2421+

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 17 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 4000 МГц тайминги: 20-26-26-46 пропускная способность: PC32000 радиатор: да поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 17 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Напряжение питания: 1.2 В

Тип DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Форм-фактор DIMM CL 19

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)