DDR4 DIMM

Объем памяти 8 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22 Пропускная способность PC25600 DDR4 DIMM

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 2666 МГц Форм-фактор DIMM

Объём памяти: 8 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300

2 модуля объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 4000 МГц тайминги: 20-26-26-46 пропускная способность: PC32000 радиатор: да поддержка XMP: да

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-25600

Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество в упаковке 1 Объем 8192 Тип поставки Ret Буферизация unbuffered Модель DGMAD43200008D Показатель скорости PC4-25600 Латентность CL22 Количество контактов 288-pin Скорость (тест) 3200МГц Напряжение (тест) 1.2В Количество рангов (Ranks) dual rank Частотная спецификация 3200

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 22 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC25600 особенности: ECC, буферизованная (Registered)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.2 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

2 модуля объем памяти: 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ) тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3600 МГц тайминги: 20-26-26-46 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC28800 особенности: радиатор, XMP, RGB-подсветка, игровая

1 модуль объем одного модуля:64 ГБ тип: DDR4 тактовая частота: 3200 форм-фактор:DIMM

1 модуль объем памяти: 16 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 19 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3600 МГц радиатор CAS Latency (CL): 20

1 модуль объем памяти 32 ГБ тип DDR4 DIMM тактовая частота 3200 МГц PC-25600

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2666 МГц CAS Latency (CL): 19

Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Тактовая частота 3200 МГц

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

1 модуль объем памяти: 8 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16 напряжение питания: 1.35 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 42 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип DDR4 Объем одного модуля 8 ГБ Тактовая частота 2666 МГц Форм-фактор DIMM CL 4

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22