DDR4 DIMM

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объем: 16 ГБ x 1 шт, DDR4 Частота: 3200 МГц Тайминги: 22

модуль памяти 8 ГБ DDR4 DIMM 2666 МГц для систем Infortrend EonStor DS4000U, GS/GSe 3000 Gen2

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM частота 3200 МГц CAS Latency (CL): 22

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.2 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.2 В

Тип оперативной памяти DDR4 Частота функционирования, МГц 3200 Пропускная способность, Мб/сек. 25600 Объём, Мб 32768 Форм-фактор оперативной памяти DIMM Напряжение, В 1.2 Дополнительная информация Латентность (CL) 19 Количество модулей в комплекте 2

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 32 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3200 МГц радиатор CAS Latency (CL): 18

Объем: 1х 16ГБ; Частота: 3200МГц; Латентность: CL22; Задержки: 22-22-22-52; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Тип поставки: Ret

Объем памяти 16 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2666 МГц Тайминги 19 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC21300

Объем памяти 16 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность PC21300

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 2666 МГц тайминги: 16-17-17-36 напряжение питания: 1.2 В пропускная способность: PC21300 радиатор: да поддержка XMP: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 17 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 17000 Мб/с CAS Latency (CL): 15 RAS to CAS Delay (tRCD): 15 Row Precharge Delay (tRP): 15 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 15 RAS to CAS Delay (tRCD): 15 Row Precharge Delay (tRP): 15 Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Тип оперативной памяти DDR4 Частота функционирования, МГц 3200 Пропускная способность, Мб/сек. 25600 Объём, Мб 65536 Форм-фактор оперативной памяти DIMM Напряжение, В 1.2

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 64 Гб Стандарт памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Коррекция ошибок и буферизация: RDIMM

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 32000 Мб/с CAS Latency (CL): 20 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Activate to Precharge Delay (tRAS): 46 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)