DDR4 DIMM

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 20 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Activate to Precharge Delay (tRAS): 46 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): даТайминги CAS Latency (CL) 40 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge Delay (tRP) 39

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объем: 1х 8ГБ; Частота: 2666МГц; Латентность: CL19; Задержки: 19-19-19-43; Форм-фактор: DIMM, 288-pin; Тип поставки: Ret

Объём: 8 ГБ. Стандарт памяти: DDR4. Форм-фактор: SODIMM. Тип памяти: Unbuffered. CAS Latency (CL): 22. Пропускная способность: 25600 Мб/с.

модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Unbuffered SODIMM для DS1825+, DS1525+, DS925+, DS725+

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Activate to Precharge Delay (tRAS): 40 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 20 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Activate to Precharge Delay (tRAS): 46 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

модуль оперативной памяти 64 Гб DDR4 ECC Registered DIMM для SA6400

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 16 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3600 МГц радиатор CAS Latency (CL): 20

1 модуль памяти DDR4 объем модуля 8 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 3600 МГц радиатор CAS Latency (CL): 20

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 15 Напряжение питания: 1.2 В

Серия продукции M393 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 16, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 16, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 18, шт Количество ранков 2 Количество контактов 288

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 19200 Мб/с CAS Latency (CL): 17 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Activate to Precharge Delay (tRAS): 39 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 38 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 Напряжение питания: 1.2 В