Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 17 Row Precharge Delay (tRP): 17 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 39 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR5 Объем одного модуля, ГБ 32 Количество модулей в комплекте, шт 1 Суммарный объем, ГБ 32 Эффективная частота, МГц 5600 Пропускная способность, Мб/с 44800 Поддержка ECC On-Die ECC

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 38 RAS to CAS Delay (tRCD): 48 Row Precharge Delay (tRP): 48 Activate to Precharge Delay (tRAS): 96 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 20 RAS to CAS Delay (tRCD): 26 Row Precharge Delay (tRP): 26 Activate to Precharge Delay (tRAS): 46 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да

Объём памяти: 16 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Activate to Precharge Delay (tRAS): 43 Напряжение питания: 1.2 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): даТайминги CAS Latency (CL) 40 RAS to CAS Delay (tRCD) 39 Row Precharge Delay (tRP) 39

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 64 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 28800 Мб/с CAS Latency (CL): 18 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)