Оперативная память

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 18 Row Precharge Delay (tRP): 18 Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Напряжение питания: 1.35 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR4 DIMM Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 Поддержка ECC: да Буферизованная (Registered): да

Объём: 8 ГБ. Стандарт памяти: DDR4. Форм-фактор: SODIMM. Тип памяти: Unbuffered. CAS Latency (CL): 22. Пропускная способность: 25600 Мб/с.

Форм-фактор памяти UDIMM Тип памяти DDR5 Общий объем памяти 32 Гбайт Объем одного модуля 32 Гбайт Количество модулей в комплекте 1 шт. Быстродействие Частота 5600 МГц Конструкция Радиатор Нет Низкопрофильная Нет

Объём памяти: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 МБ/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 76 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Unbuffered SODIMM для DS1825+, DS1525+, DS925+, DS725+

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 52 RAS to CAS Delay (tRCD): 52 Row Precharge Delay (tRP): 52 Напряжение питания: 1.1 В Архитектура CUDIMM: да

Тип оперативной памяти DDR5 Общий объём памяти 16Гб Объем модуля памяти 16Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 5600 МГц Множитель частоты шины 40 Напряжение питания 1.1 В

Объём памяти: 16 ГБ Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 МБ/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 77 Напряжение питания: 1.1 В