Оперативная память

Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3600 МГц Тайминги 18-22-22-42 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC28800 Особенности радиатор

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 21300 Мб/с CAS Latency (CL): 19 RAS to CAS Delay (tRCD): 19 Row Precharge Delay (tRP): 19 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 51200 Мб/с CAS Latency (CL): 32 RAS to CAS Delay (tRCD): 39 Row Precharge Delay (tRP): 39 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 38400 Мб/с Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 48 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 28 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 100 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да

Объём памяти: 32 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 46 Напряжение питания: 1.1 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 40 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 Мб/с CAS Latency (CL): 36 RAS to CAS Delay (tRCD): 38 Row Precharge Delay (tRP): 38 Напряжение питания: 1.25 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 32 Гб Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 Мб/с CAS Latency (CL): 28 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Activate to Precharge Delay (tRAS): 100 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 41600 Мб/с CAS Latency (CL): 42 RAS to CAS Delay (tRCD): 42 Row Precharge Delay (tRP): 42 Activate to Precharge Delay (tRAS): 84 Напряжение питания: 1.1 В Система охлаждения: пассивная (радиатор)