Оперативная память

CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB PC4-19200, 2400MHz, CL17, Micron SDRAM, single rank

Объём памяти: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 МБ/с CAS Latency (CL): 28 RAS to CAS Delay (tRCD): 36 Row Precharge Delay (tRP): 36 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да

Объём памяти: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 48000 МБ/с CAS Latency (CL): 30 RAS to CAS Delay (tRCD): 40 Row Precharge Delay (tRP): 40 Напряжение питания: 1.4 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 32 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR5 Пропускная способность: 44800 МБ/с CAS Latency (CL): 46 RAS to CAS Delay (tRCD): 45 Row Precharge Delay (tRP): 45 Напряжение питания: 1.1 В Поддержка EXPO: да Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор) Подсветка: да

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 МБ/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 МБ/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём памяти: 16 ГБ Количество модулей в комплекте: 2 Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 МБ/с CAS Latency (CL): 16 RAS to CAS Delay (tRCD): 20 Row Precharge Delay (tRP): 20 Напряжение питания: 1.35 В Поддержка XMP: да Система охлаждения: пассивная (радиатор)

Объём: 8 ГБ (один модуль) Тип памяти: DDR4 SO-DIMM Частота: 3200 МГц Пропускная способность: 25 600 МБ/с (PC25600) Тайминги: CL22 Напряжение питания: 1,2 В Конструкция: без радиатора

Количество модулей в комплекте 2 шт. Объем одного модуля 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 22-22-22-52 Напряжение питания 1.2 В Пропускная способность PC25600 Особенности Unregistered, радиатор

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Напряжение питания: 1.2 В

Объём памяти: 16 Гб Тип памяти: DDR4 Пропускная способность: 25600 Мб/с CAS Latency (CL): 22 RAS to CAS Delay (tRCD): 22 Row Precharge Delay (tRP): 22 Activate to Precharge Delay (tRAS): 52 Напряжение питания: 1.2 В